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STGW40NC60KD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.52636 17.52636
  • 库存: 10
  • 单价: ¥17.52637
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.53
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 70 A
  • 门电荷 135 nC
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads
  • 最大整流电流 (Icm) 220 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.7V @ 15V, 30A
  • 最大功率 250瓦
  • 反向恢复时长 (trr) 45纳秒
  • 开关能量 595J (on), 716J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 46ns/164ns
  • 试验条件 480V, 30A, 10欧姆, 15V

STGW40NC60KD 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH?这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

  • 低压降(V行政长官(sat))
  • 低C物件/C类信息系统比率(无交叉传导敏感性)
  • 短路耐受时间10μs
  • IGBT与超快续流二极管共同封装
STGW40NC60KD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW40NC60KD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW40NC60KD价格参考¥17.526369,你可以下载 STGW40NC60KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW40NC60KD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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