特色
- 专门设计用于在低于70kHz的频率下切换应用中取代平面MOSFET
- 低开关损耗，实现高效率
- 具有低EMI发射的快速开关行为
- 针对目标应用的优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善
- 可以选择低栅极电阻（低至5R），同时保持良好的开关性能
- 短路能力
- 出色的性能
- 低开关和传导损耗
- EMI性能非常好
- 小栅极电阻，减少延迟时间和电压过冲
- 一流的IGBT效率和EMI性能
- 带和不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
- 绿色产品
- 无卤素
应用
替代能源、电力管理
IGW25N120H3FKSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 326 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 22.83251 | 22.83251 |
- 库存: 184
- 单价: ¥22.83252
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.83
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 集电极击穿电压 1200伏
- 最大整流电流 (Icm) 100 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 25A
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 50 A
- 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
- 最大功率 326 W
- 开关能量 2.65mJ
- 门电荷 115 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 27ns/277ns
- 试验条件 600V, 25A, 23欧姆, 15V
IGW25N120H3FKSA1 产品详情
IGW25N120H3FKSA1是与SiC二极管IDH15S120结合使用的沟槽和场停止技术中的高速IGBT。高速装置用于减小有源元件的尺寸（25至70kHz）。高速3系列提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为，导致低关断损耗。此外，通过在您的设计中实施此技术，可以实现高达15%的效率提高。
IGW25N120H3FKSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IGW40N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | ¥16.95998 |
 | IGW40N65F5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | ¥40.91328 |
 | IGW50N65H5 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | ¥18.22893 |
 | IGW50N60H3FKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 333 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥40.56024 |
 | IGW75N60TFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥53.16289 |
 | IGW100N60H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥83.0877 |
| IGW75N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥35.98925 |
| IGW15N120H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥38.35949 |
| IGW30N60T | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥21.62844 |
| IGW40N120H3 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥36.52033 |
IGW25N120H3FKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGW25N120H3FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGW25N120H3FKSA1价格参考￥22.832518，你可以下载 IGW25N120H3FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGW25N120H3FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
