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STGF7H60DF

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 24瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.44425 7.44425
  • 库存: 50
  • 单价: ¥7.44425
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.44
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 最大集电极电流 (Ic) 14 A
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 开通/关断延时 (25°C) 30ns/160ns
  • 门电荷 46 nC
  • 最大整流电流 (Icm) 28A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95伏@15伏,7A
  • 最大功率 24瓦
  • 开关能量 99J(开),100J(关闭)
  • 试验条件 400V, 7A, 47欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 136纳秒

STGF7H60DF 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该IGBT系列提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,最大限度地提高了极高频率转换器的效率。此外,正V行政长官(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更容易。

特色

  • 高速切换
  • 紧密参数分布
  • 安全并联
  • 低热阻
  • 短路额定值
  • 超快软恢复反并联二极管
STGF7H60DF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGF7H60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGF7H60DF价格参考¥7.444253,你可以下载 STGF7H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGF7H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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