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IKQ75N120CS6XKSA1
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IKQ75N120CS6XKSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 880 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-46 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 84.37978 84.37978
10+ 76.25325 762.53251
100+ 63.12984 6312.98410
500+ 61.68053 30840.26800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥80.10647
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥84.38
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 最大整流电流 (Icm) 300 A
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大功率 880 W
  • 最大集电极电流 (Ic) 150 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.15V @ 15V, 75A
  • 开关能量 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
  • 门电荷 530 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 34ns/300ns
  • 试验条件 600V, 75A, 4欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 440 ns
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-46

IKQ75N120CS6XKSA1 产品详情

英飞凌科技1200V TRENCHSTOP™ IGBT6被设计为满足高效率、低传导损耗和开关损耗的要求。这些TRENCHSTOP IGBT6具有低栅极电荷、低电磁干扰（EMI）、易于并联、高硬开关效率和谐振拓扑。TRENCHSTOP IGBT6发布了两个产品系列，低传导损耗优化的S6系列和改进的开关损耗H6系列。这些IGBT6很容易，即插即用，取代了先前的HighSpeed3 H3 IGBT。TRENCHSTOP IGBT6采用了沟槽和场阻技术，并与软、快速恢复反并联二极管相结合。由于VCEsat中的正温度系数，这些1200V TRENCHSTOP IGBT6实现了简单的并联能力。典型应用包括工业UPS、能量存储、三电平太阳能串逆变器和焊接。

特色

  • 硬开关和谐振拓扑的高效率
  • 如果1.85V与低开关损耗相结合，则为低饱和电压
  • 由于VCEsat中的正温度系数，易于并联
  • 低电磁干扰
  • 低栅极电荷QG
  • 非常软，快速恢复反并联二极管
  • 高强度，温度稳定
  • 非常紧密的参数分布
  • TO-247PLUS封装的高功率密度和低热阻
  • IGBT损耗最低，系统效率高，功率输出更高
  • 快速、方便地替换先前的H3技术
  • 高设备可靠性和预期寿命
  • TO-247占地面积中75 A 1200 V IGBT和75 A二极管的最高电流
  • TO-247PLUS的较低热阻Rth（jh）有利于提高约15%的散热性能，延长IGBT的预期寿命
  • Kelvin发射极引脚降低了总开关损耗

应用

  • 不间断电源（UPS）
  • 工业加热和焊接
  • 串逆变器解决方案

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IKQ75N120CS6XKSA1IKQ75N120CS6XKSA1英飞凌 (Infineon)IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 880 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-46 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）¥80.10647
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IKQ75N120CS6XKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKQ75N120CS6XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKQ75N120CS6XKSA1价格参考￥80.106474，你可以下载 IKQ75N120CS6XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKQ75N120CS6XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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