9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWA40S120DF3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWA40S120DF3参考价格$7.59000。STMicroelectronics STGWA40S120DF3封装/规格：IGBT 1200V 40A TO247-3L。您可以下载STGWA40S120DF3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGWA40M120DF3带有引脚细节，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为468W，反向恢复时间trr为355ns，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为1.03mJ（开），480μJ（关），栅极电荷为125nC，25°C时的Td为35ns/140ns，测试条件为600V，40A，10欧姆，15V，Pd功耗为468W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，且集电极-发射极饱和电压为1.85V，且25℃时的连续集电极电流为80A，且栅极-发射极漏电流为250nA，且最大栅极-发射极电压为20V，且持续集电极电流Ic-Max为40A。
STGWA40H120DF2是TRENCH GATE IGBT TO247 PKG，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.6V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411 oz，提供600V、40A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，1.32mJ（关）开关能量，该装置也可用作TO-247-3供应商装置包。此外，该系列是900-1300V IGBT，该器件提供488ns反向恢复时间trr，该器件的最大功率为468W，Pd功耗为468 W，包装为管，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，最大栅极-发射极电压为20 V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极-发射极漏电流为250 nA，栅极电荷为158nC，集流器脉冲Icm为160A，集流电流Ic Max为80A，连续集流器电流Ic Max为80A，25℃时的连续集电极电流为80A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极/发射极饱和电压为2.5V。
带有电路图的STGWA40H120F2，包括2.5 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200 V集电极/发射极电压VCEO最大值下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C的连续集电极电流，如80 a，栅极-发射极漏电流设计为250 nA，以及+/-20 V的最大栅极发射极电压，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有468 W的Pd功耗。
