STGWT28IH125DF

Name: STGWT28IH125DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171068-STGWT28IH125DF
Price: 19.037818 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1250伏最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至3P-3，SC-65-3
供应商设备包装 TO-3P
最大集电极电流 (Ic) 60 A
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
试验条件 600V, 25A, 10欧姆, 15V
IGBT型场终止沟道
最大整流电流 (Icm) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
集电极击穿电压 1250伏
最大功率 375瓦
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 25A
开关能量 720J (off)
门电荷 114 nC
开通/关断延时 (25°C) -/128纳秒

STGWT28IH125DF 产品详情

STMicroelectronics的STGWT28IH125DF是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT，其性能在传导和开关损耗方面都得到了优化。具有低正向压降的续流二极管被共同封装。其结果是一种专门设计用于任何谐振和软开关应用的效率最大化的产品。

特色

仅设计用于软换向
最高结温：T_J=175°C
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=2.0 V（典型值）@I_C=25年
紧密参数分布
安全并联
低电压_F软恢复共封装二极管
低热阻
无铅包装

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STGWT28IH125DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT28IH125DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT28IH125DF价格参考￥19.037818，你可以下载 STGWT28IH125DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT28IH125DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！