STGF4M65DF2

Name: STGF4M65DF2
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171114-STGF4M65DF2
Price: 8.474193 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 23 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	9.34334	9.34334
10+	8.35106	83.51064
100+	6.51064	651.06430
500+	5.37828	2689.14400
1000+	4.67326	4673.26400

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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
安装类别通孔
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-220-3全套
最大集电极电流 (Ic) 8 A
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 4A
最大整流电流 (Icm) 16 A
供应商设备包装 TO-220FP
开关能量 40J (on), 136J (off)
门电荷 15.2 nC
开通/关断延时 (25°C) 12ns/86ns
试验条件 400V, 4A, 47欧姆, 15V
反向恢复时长 (trr) 133 ns
最大功率 23 W

STGF4M65DF2 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH？这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

较低的电压降（V_{行政长官（sat）})
极软超快恢复反并联二极管
下部C_{皇家经济学会}/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）
短路耐受时间10μs

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STGF4M65DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGF4M65DF2 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGF4M65DF2价格参考￥8.474193，你可以下载 STGF4M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGF4M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！