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STGWA20IH65DF
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STGWA20IH65DF

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 159 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 43.22535 43.22535
200+ 16.73104 3346.20820
500+ 16.14251 8071.25600
1000+ 15.84824 15848.24700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥43.22536
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥43.23
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 最大整流电流 (Icm) 60 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 门电荷 56 nC
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.05V @ 15V, 20A
  • 最大功率 159 W
  • 开关能量 110J(关闭)
  • 开通/关断延时 (25°C) -/120纳秒
  • 试验条件 400V, 20A, 22欧姆, 15V

STGWA20IH65DF 产品详情

STGWA20IH65DF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGWA20IH65DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGWA20IH65DF价格参考¥43.225359,你可以下载 STGWA20IH65DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGWA20IH65DF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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