9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWA20HP65FB2,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWA20HP65FB2参考价格2.89000美元。STMicroelectronics STGWA20HP65FB2封装/规格:沟槽闸门现场停止650 V,20。您可以下载STGWA20HP65FB2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如STGWA20HP65FB2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的,你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息,例如STGWA40H65DHFB2库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信,所以请随时与我们联系。
STGWA40H120DF2是TRENCH GATE IGBT TO247 PKG,包括900-1300V IGBT系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于1.340411盎司,具有通孔等安装方式特征,封装盒设计用于to-247-3,以及标准输入类型,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为TO-247-3,该设备为单配置,该设备的最大功率为468W,反向恢复时间trr为488ns,集电器Ic最大值为80A,集电器发射极击穿最大值为1200V,IGBT类型为沟道场阻,集电器脉冲Icm为160A,最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V,40A,开关能量为1mJ(开)、1.32mJ(关),栅极电荷为158nC,25°C时的Td为18ns/152ns,测试条件为600V、40A、10 Ohm、15V,Pd功耗为468W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为1.2 kV,且集电极-发射极饱和电压为2.5V,且25℃时的连续集电极电流为80A,且栅极-发射极漏电流为250nA,且最大栅极-发射极电压为20V,且持续集电极电流Ic-Max为80A。
STGWA40H120F2带用户指南,包括468 W Pd功耗,设计用于通孔安装式操作,其最低工作温度范围为-55 C,最高工作温度范围+175 C,最大栅极发射极电压设计为+/-20 V,以及250 nA栅极发射极漏电流,该设备还可以用作25℃时的80 A连续集电极电流。此外,该配置为单级,该设备提供1200 V集电极-发射极电压VCEO Max,该设备具有2.5 V集电极/发射极饱和电压。
STGWA30N120KD是IGBT 1200V 60A 220W TO247,包括60A集流器Ic Max,它们设计用于100A集流脉冲Icm,数据表注释中显示了用于105nC的栅极电荷,该105nC提供输入类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,以及to-247-3封装外壳,该装置也可以用作管包装。此外,最大功率为220W,设备提供84ns反向恢复时间trr,设备具有PowerMESH?系列,供应商设备包为TO-247,开关能量为2.4mJ(开)、4.3mJ(关),25°C时的Td为36ns/251ns,测试条件为960V、20A、10 Ohm、15V,Vce on Max Vge Ic为3.85V@15V,20A,电压集电极-发射极击穿最大值为1200V。
STGWA35HF60WDI是IGBT 600V 70A 260W TO247,包括管封装,它们设计用于to-247-3封装盒,供应商设备封装如数据表注释所示,用于to-249-3,提供安装类型功能,如通孔,输入类型设计用于标准,以及85ns反向恢复时间trr,该设备也可作为70A电流收集器Ic最大值使用。此外,电压收集器-发射器击穿最大值为600V,该设备在390V、20A、10欧姆、15V测试条件下提供,该设备具有30ns/175ns的Td通断25°C,功率最大值为260W,Vce通断最大值Vge Ic为2.5V@15V,20A,开关能量为185μJ(关断),电流收集器脉冲Icm为150A,栅极电荷为140nC。