STGWT40HP65FB

Name: STGWT40HP65FB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171147-STGWT40HP65FB
Price: 14.293139 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
门电荷 210 nC
安装类别通孔
包装/外壳至3P-3，SC-65-3
供应商设备包装 TO-3P
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
最大整流电流 (Icm) 160 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 40A
反向恢复时长 (trr) 140纳秒
最大功率 283 W
试验条件 400V, 40A, 5欧姆, 15V
开关能量 363J (off)
开通/关断延时 (25°C) -/142纳秒

STGWT40HP65FB 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。该器件是新型HB系列IGBT的一部分，它代表了导电和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化任何变频器的效率。此外，略为正值的V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

最高结温：T_J=175°C
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=1.6 V（典型值）@I_C=40年
紧密的参数分布
保护用共封装二极管
安全并联
低热阻

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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGWT40HP65FB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT40HP65FB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT40HP65FB价格参考￥14.293139，你可以下载 STGWT40HP65FB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT40HP65FB规格参数、现货库存、封装信息等信息！