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STGW8M120DF3

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 34.04163 34.04163
10+ 30.58676 305.86767
100+ 25.06260 2506.26070
500+ 21.33541 10667.70550
1000+ 20.44743 20447.43100
  • 库存: 336
  • 单价: ¥30.92718
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.04
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 16 A
  • 最大功率 167 W
  • 门电荷 32 nC
  • 反向恢复时长 (trr) 103纳秒
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大整流电流 (Icm) 32 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 8A
  • 开关能量 390J (on), 370J (Off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 20ns/126ns
  • 试验条件 600V, 8A, 33欧姆, 15V

STGW8M120DF3 产品详情

STGW8M120DF3所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW8M120DF3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW8M120DF3价格参考¥30.927183,你可以下载 STGW8M120DF3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW8M120DF3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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