STGP30H60DFB

Name: STGP30H60DFB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171193-STGP30H60DFB
Price: 38.285919 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
集电极击穿电压 600 V
最大集电极电流 (Ic) 60 A
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大整流电流 (Icm) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大功率 260 W
包装/外壳至220-3
供应商设备包装 TO-220
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 30A
试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
开关能量 383J (on), 293J (off)
门电荷 149 nC
开通/关断延时 (25°C) 37ns/146ns
反向恢复时长 (trr) 53 ns

STGP30H60DFB 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该IGBT系列提供了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，最大限度地提高了极高频率转换器的效率。此外，正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布使得并联操作更容易。

特色

高速切换
紧密参数分布
安全并联
低热阻
短路额定值
超快软恢复反并联二极管

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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGP30H60DFB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP30H60DFB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP30H60DFB价格参考￥38.285919，你可以下载 STGP30H60DFB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP30H60DFB规格参数、现货库存、封装信息等信息！