这种超快IGBT是使用新的平面技术开发的,以产生开关能量变化更为紧密的器件(E关)相对于温度。后缀“W”表示设计用于高开关频率操作(超过100kHz)的产品子集。
特色
- 改进的E关在高温下
- 最小尾电流
- 低传导损耗
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 25.85715 | 25.85715 |
10+ | 23.21349 | 232.13495 |
100+ | 19.02058 | 1902.05800 |
500+ | 16.19208 | 8096.04100 |
1000+ | 16.10371 | 16103.71900 |
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这种超快IGBT是使用新的平面技术开发的,以产生开关能量变化更为紧密的器件(E关)相对于温度。后缀“W”表示设计用于高开关频率操作(超过100kHz)的产品子集。
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