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IGW30N60TP

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
  • 最大功率 -
  • 输入类别 -
  • 门电荷 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)

IGW30N60TP 产品详情

Infineon 600V和1200V TRENCHSTOP IGBT结合了沟槽顶部电池和场停止概念,显著提高了静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减少了导通损耗。开关损耗和传导损耗之间的折衷允许高效率。新型600V TRENCHSTOP性能IGBT是一种新型高效IGBT,具有最佳的导通和关断能量,具有出色的鲁棒性和优异的EMI性能。600V IGBT可在电机控制、空调压缩机、HVAC电机驱动、UPS、太阳能转换器和所有功率转换应用中实现更高的效率,这些应用在硬开关拓扑中的工作频率高达30kHz。

特色

  • 降低传导损耗的最低VCEsat压降
  • 低开关损耗
  • 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
  • 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
  • 高强度,温度稳定
  • 低EMI发射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布
  • 最高效率–低传导和开关损耗
  • 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
  • 设备可靠性高

应用

  • 房间空调器
  • 电机控制和驱动
  • 太阳能系统解决方案
  • 不间断电源(UPS)
  • 工业加热和焊接
IGW30N60TP所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGW30N60TP 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGW30N60TP价格参考¥17.718929,你可以下载 IGW30N60TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGW30N60TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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