特色
- 最高结温：TJ=175°C
- 高速开关系列
- 最小化尾电流
- 低饱和电压：V行政长官（sat）=1.6 V（典型值）@IC=60年
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 正V行政长官（sat）温度系数
- 低热阻
- 超快软恢复反并联二极管
STGWT60H65DFB
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 10+ | 32.31553 | 323.15538 |
| 100+ | 31.07275 | 3107.27510 |
| 300+ | 29.87749 | 8963.24940 |
| 1000+ | 28.72846 | 28728.46300 |
| 5000+ | 27.62353 | 138117.65000 |
- 库存: 3199
- 单价: ¥23.28882
-
数量:
- +
- 总计: ¥23.29
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 供应商设备包装 TO-3P
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 反向恢复时长 (trr) 60 ns
- 最大整流电流 (Icm) 240 A
- 门电荷 306 nC
- 最大功率 375瓦
- 试验条件 400V, 60A, 5欧姆, 15V
- 开关能量 1.09mJ（开），626J（关闭）
- 开通/关断延时 (25°C) 51ns/160ns
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 60A
STGWT60H65DFB 产品详情
IGBT Discretes，STMicroelectronics
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| STGWA50H65DFB2 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥33.44106 |
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| STGYA50M120DF3 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥157.69427 |
| STGAP2SICSCTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥43.83491 |
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| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGWT60H65DFB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT60H65DFB 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT60H65DFB价格参考￥23.288821，你可以下载 STGWT60H65DFB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT60H65DFB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
