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IGW20N60H3FKSA1
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IGW20N60H3FKSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 170瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.95999 22.95999
10+ 20.62777 206.27779
100+ 16.58117 1658.11710
500+ 13.62302 6811.51300
1000+ 13.53842 13538.42900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥22.95999
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.96
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 20A
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 门电荷 "120 NC"
  • 最大功率 170瓦
  • 试验条件 400V, 20A, 14.6欧姆, 15V
  • 开关能量 800J
  • 开通/关断延时 (25°C) 17ns/194ns

IGW20N60H3FKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管，600和650V

英飞凌的一系列IGBT晶体管，集电极-发射极电压额定值为600和650V，采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 低开关损耗，实现高效率
  • 卓越的Vce（sat）性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻（低至5Ω），同时保持良好的开关性能
  • 短路能力5µs
  • 提供175°C的Tj（最大值）
  • 带和不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 可与小栅极电阻器一起使用，以减少延迟时间和电压过冲
  • 高电流密度
  • 一流的600 V IGBT效率和EMI性能

应用

潜在应用

         

IGW20N60H3FKSA1 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
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IGW40N65F5IGW40N65F5英飞凌 (Infineon)IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3¥40.91328
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IGW20N60H3FKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGW20N60H3FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGW20N60H3FKSA1价格参考￥22.959993，你可以下载 IGW20N60H3FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGW20N60H3FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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