9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB10H60DF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB10H60DF价格参考1.82000美元。STMicroelectronics STGB10H60DF封装/规格：IGBT 600V 20A 115W D2PAK。您可以下载STGB10H60DF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGAP1S是DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 24SO，包括Automotive、AEC-Q100、gapDRIVE？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于隔离驱动器，提供管等封装功能，单位重量设计为0.010857盎司，以及SMD/SMT安装类型，该器件也可以用作24-SOIC（0.295“，7.50mm宽）包装箱。此外，该技术是电容耦合技术，其工作温度范围为-40°C~125°C，该设备具有安装型表面安装，通道数为1，电压供应为4.5 V~36 V，供应商设备包为24-SO，配置为反相，电流输出高-低为2.5A、2.5A，电压隔离为2500Vrms，认证为UL，关机为是，上升-下降时间Typ为25ns，25ns（Max），传播延迟tpLH tpHL Max为130ns，130ns，脉宽失真Max为10ns，Pd功耗为65mW，最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，下降时间为25ns，电源电压Max为36V，电源电压Min为4.5V，驱动器数量为1个驱动器。
带有用户指南的STGB10H60DF，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.95V@15V、10A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，适用于0.070548 oz，提供400V、10A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，140μJ（关断）开关能量，该装置也可用作D2PAK供应商装置包。此外，该系列是600-650V IGBT，该器件提供107ns反向恢复时间trr，该器件具有115W的最大功率，Pd功耗为115W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极-发射极漏电流为250 nA，栅极电荷为57nC，集流器脉冲Icm为40A，集流器Ic Max为20A，25℃时的连续集电极电流为20 A，配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极-发射器饱和电压为1.5 V。
STG8820，带有VB制造的电路图。STG882采用MSOP8封装，是IC芯片的一部分。
STGAP1STR与ST.制造的EDA/CAD模型是PMIC-栅极驱动器的一部分，并支持工业和ASIC栅极驱动器、栅极驱动器电容耦合2500Vrms 1信道24-SO、驱动器3-OUT半Brdg Inv Automotive 24引脚SOW T/R。
