STGWA40H120DF2

Name: STGWA40H120DF2
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171344-STGWA40H120DF2
Price: 58.506096 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 468 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
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10+	57.16088	571.60887
30+	56.26758	1688.02752
100+	55.36377	5536.37720

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 1200伏
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
试验条件 600V, 40A, 10欧姆, 15V
最大整流电流 (Icm) 160 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 40A
供应商设备包装 TO-247-3
最大功率 468 W
开关能量 1mJ (on), 1.32mJ (off)
门电荷 158 nC
开通/关断延时 (25°C) 18ns/152ns
反向恢复时长 (trr) 488 ns

STGWA40H120DF2 产品详情

这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分，这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化高开关频率转换器的效率。此外，轻微正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

最高结温：T_J=175°C
高速开关系列
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=2.1 V（典型值）@I_C=40年
T时5μs最小短路耐受时间_J=150°C
安全并联
超快恢复反并联二极管
低热阻

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STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGWA40H120DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWA40H120DF2 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWA40H120DF2价格参考￥58.506096，你可以下载 STGWA40H120DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWA40H120DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！