STGW30NC60KD

Name: STGW30NC60KD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171345-STGW30NC60KD
Price: 22.921106 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 200瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
最大集电极电流 (Ic) 60 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大功率 200瓦
试验条件 480V, 20A, 10欧姆, 15V
供应商设备包装 TO-247-3
反向恢复时长 (trr) 40纳秒
门电荷 96 nC
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.7V @ 15V, 20A
最大整流电流 (Icm) 125 A
开关能量 350J (on), 435J (off)
开通/关断延时 (25°C) 29ns/120ns

STGW30NC60KD 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH？这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

低压降（V_{行政长官（sat）})
短路耐受时间10μs
低C_物件/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）
IGBT与超快续流二极管共同封装

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STGW30NC60KD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW30NC60KD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW30NC60KD价格参考￥22.921106，你可以下载 STGW30NC60KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW30NC60KD规格参数、现货库存、封装信息等信息！