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IGW20N60H3

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起订量: 170

  • 库存: 20
  • 单价: ¥35.16461
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5,977.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
  • 最大功率 -
  • 输入类别 -
  • 门电荷 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)

IGW20N60H3 产品详情

高速600 V,20 A单TRENCHSTOP™ TO247封装中的IGBT3提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为,导致低关断损耗。

特色

  • 低开关损耗,实现高效率
  • 卓越的Vce(sat)性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻(低至5Ω),同时保持良好的开关性能
  • 短路能力5µs
  • 提供175°C的Tj(最大值)
  • 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 可与小栅极电阻器一起使用,以减少延迟时间和电压过冲
  • 高电流密度
  • 一流的600 V IGBT效率和EMI性能

应用

潜在应用

         
IGW20N60H3所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGW20N60H3 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGW20N60H3价格参考¥35.164613,你可以下载 IGW20N60H3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGW20N60H3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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