STGB15M65DF2

Name: STGB15M65DF2
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171367-STGB15M65DF2
Price: 6.639566 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
集电极击穿电压 650 V
输入类别标准
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
最大整流电流 (Icm) 60 A
IGBT型场终止沟道
安装类别表面安装
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大集电极电流 (Ic) 30 A
供应商设备包装 DPAK (TO-263)
最大功率 136 W
门电荷 45 nC
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 15A
开关能量 90J (on), 450J (off)
开通/关断延时 (25°C) 24ns/93ns
试验条件 400V, 15A, 12欧姆, 15V
反向恢复时长 (trr) 142 ns

STGB15M65DF2 产品详情

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STGB15M65DF2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGB15M65DF2 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGB15M65DF2价格参考￥6.639566，你可以下载 STGB15M65DF2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGB15M65DF2规格参数、现货库存、封装信息等信息！