STGW25H120F2

Name: STGW25H120F2
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171372-STGW25H120F2
Price: 51.207303 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

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数量	单价	合计
1+	56.34976	56.34976
10+	50.90310	509.03101
100+	42.14136	4214.13650
500+	39.08616	19543.08250

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 1200伏
最大整流电流 (Icm) 100 A
试验条件 600V, 25A, 10欧姆, 15V
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大集电极电流 (Ic) 50 A
门电荷 100 nC
供应商设备包装 TO-247-3
最大功率 375瓦
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.6V @ 15V, 25A
开关能量 600J (on), 700J (off)
开通/关断延时 (25°C) 29ns/130ns

STGW25H120F2 产品详情

这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分，代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化高开关频率转换器的效率。此外，轻微正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

最高结温：T_J=175°C
高速开关系列
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=2.1 V（典型值）@I_C=25年
T时5μs最小短路耐受时间_J=150°C
紧密参数分布
安全并联
低热阻

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STG3684AUTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4）工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥2.50315
STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
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STGW25H120F2所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW25H120F2 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW25H120F2价格参考￥51.207303，你可以下载 STGW25H120F2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW25H120F2规格参数、现货库存、封装信息等信息！