RGW00TK65DGVC11
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 89 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 48.81714 | 48.81714 |
| 10+ | 43.85576 | 438.55760 |
| 100+ | 35.93057 | 3593.05780 |
| 500+ | 30.58705 | 15293.52800 |
| 1000+ | 26.07444 | 26074.44000 |
- 库存: 335
- 单价: ¥48.81715
-
数量:
- +
- 总计: ¥48.82
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 最大集电极电流 (Ic) 45 A
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- IGBT型 场终止沟道
- 包装/外壳 至3PFM，SC-93-3
- 供应商设备包装 TO-3PFM
- 最大整流电流 (Icm) 200 A
- 最大功率 89 W
- 试验条件 400V, 50A, 10欧姆, 15V
- 门电荷 141 nC
- 反向恢复时长 (trr) 95纳秒
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V，50A
- 开关能量 1.18mJ（开），960J（关闭）
- 开通/关断延时 (25°C) 52ns/180ns
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RGW50TK65DGVC11 | 罗姆 (Rohm) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 67 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.82194 |
 | RGW60TS65DGC11 | 罗姆 (Rohm) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 178 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.7075 |
 | RGW40TK65GVC11 | 罗姆 (Rohm) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 27 A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.18649 |
| RGW00TS65DHRC11 | 罗姆 (Rohm) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 254 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥49.83115 |
 | RGW-12-1Y | 泛达 (Panduit) | GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD | ¥1,134.31057 |
 | RGW-32-1Y | 泛达 (Panduit) | GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD | ¥331.88416 |
| RGW-25-CC-Z0-H | HIWIN CARRIER | ¥0.00 | |
| RGW-20-CC-ZA-H | HIWIN CARRIER | ¥0.00 | |
| RGW-35-CC-ZA-C | HIWIN CARRIER | ¥0.00 | |
| RGW-45-CC-ZA-H | HIWIN CARRIER | ¥0.00 |
RGW00TK65DGVC11所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），RGW00TK65DGVC11 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RGW00TK65DGVC11价格参考￥48.817146，你可以下载 RGW00TK65DGVC11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RGW00TK65DGVC11规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
