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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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RGS80TSX2GC11
RGS80TSX2GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥64.24452

384

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.24452

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RGS80TSX2DGC11
RGS80TSX2DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥79.88919

123

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.88919

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RGTH40TS65GC11
RGTH40TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 144瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.02082

150

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.02082

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RGTH50TS65GC11
RGTH50TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.94599

220

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.94599

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RGTH60TS65GC11
RGTH60TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 197 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.45299

32

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.45299

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RGTH50TS65DGC11
RGTH50TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.19129

188

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.19129

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RGTH80TS65GC11
RGTH80TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.21930

180

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.21930

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RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.68188

49

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.68188

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RGPR30NS40HRTL
RGPR30NS40HRTL
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.02321

530

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.02321

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RGT16NS65DGTL
RGT16NS65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.31293

878

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.31293

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RGT8NL65DGTL
RGT8NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.81993

995

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.81993

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RGTVX6TS65GC11
RGTVX6TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 144 A 最大功率: 404 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.73071

425

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.73071

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RGT40NS65DGC9
RGT40NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 161瓦 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.23570

942

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.23570

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RGCL60TS60DGC11
RGCL60TS60DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 111瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.26132

321

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.26132

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RGCL60TK60DGC11
RGCL60TK60DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 54 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.89677

384

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.89677

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RGTH40TK65DGC11
RGTH40TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.92478

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.92478

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RGW60TS65DGC11
RGW60TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 178 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.70750

449

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- +

合计: ¥35.70750

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RGS80TSX2DHRC11
RGS80TSX2DHRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.48489

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RGT8TM65DGC9
RGT8TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 5 A 最大功率: 16瓦 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.67508

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RGT8NS65DGC9
RGT8NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

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