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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
RGPZ10BM40FHTL
RGPZ10BM40FHTL
集电极击穿电压: 460伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 107瓦 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.39937

4902

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.39937

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RGT16NS65DGC9
RGT16NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.87596

683

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.87596

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RGW00TS65DGC11
RGW00TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 254 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.96440

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.96440

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RGT30TM65DGC9
RGT30TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 32瓦 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.12126

960

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.12126

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RGT50TM65DGC9
RGT50TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 21A 最大功率: 47瓦 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.87356

239

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.87356

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RGT40TM65DGC9
RGT40TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 39 W 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.01842

902

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.01842

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RGTV00TK65DGC11
RGTV00TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.93399

430

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.93399

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RGS50TSX2DGC11
RGS50TSX2DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥60.40579

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.40579

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RGT50NS65DGC9
RGT50NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.82914

985

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.82914

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RGS00TS65DHRC11
RGS00TS65DHRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 88 A 最大功率: 326 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.17248

114

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.17248

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RGTV00TS65DGC11
RGTV00TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 95 A 最大功率: 276 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥48.81715

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.81715

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RGS60TS65DHRC11
RGS60TS65DHRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 56 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥48.81715

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.81715

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RGCL60TS60GC11
RGCL60TS60GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 111瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.49501

368

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.49501

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RGCL80TS60GC11
RGCL80TS60GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 148瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.81274

420

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.81274

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RGTH00TK65GC11
RGTH00TK65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 72 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥41.13967

418

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.13967

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RGCL60TK60GC11
RGCL60TK60GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 54 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.13046

83

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.13046

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RGTV00TK65GVC11
RGTV00TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥41.42939

450

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.42939

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RGW60TS65GC11
RGW60TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 178 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.70990

440

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.70990

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RGTH80TK65DGC11
RGTH80TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 66 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥42.73311

446

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.73311

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RGTV60TS65GC11
RGTV60TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.99961

420

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.99961

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