RGT16NS65DGC9
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 16.87595 | 16.87595 |
10+ | 15.13766 | 151.37661 |
100+ | 12.16662 | 1216.66230 |
500+ | 9.99607 | 4998.03550 |
1000+ | 8.28247 | 8282.47300 |
2000+ | 8.08307 | 16166.15200 |
- 库存: 683
- 单价: ¥16.87596
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 开关能量 -
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大整流电流 (Icm) 24A
- 门电荷 21 nC
- 反向恢复时长 (trr) 42 ns
- 最大集电极电流 (Ic) 16 A
- 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
- 供应商设备包装 TO-262
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 8A
- 最大功率 94瓦
- 开通/关断延时 (25°C) 13ns/33ns
- 试验条件 400V, 8A, 10欧姆, 15V
RGT16NS65DGC9 产品详情
RGT16NS65D是一种场阻沟槽IGBT,设计用于节能,并在大范围的高压和大电流环境下工作。该器件具有1.65V的低集电极-发射极饱和电压、94W的功耗、100�C为8 A,开关损耗低。
RGT16NS65DGC9所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT16NS65DGC9 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT16NS65DGC9价格参考¥16.875957,你可以下载 RGT16NS65DGC9中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT16NS65DGC9规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...