RGT00TS65DGC11
- 描述:IGBT类型:沟槽场截止 功率(Pd):277W 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):85A
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 17.31957 | 17.31957 |
10+ | 15.07054 | 150.70548 |
30+ | 13.65177 | 409.55319 |
100+ | 12.21197 | 1221.19780 |
500+ | 11.10848 | 5554.24300 |
1000+ | 10.83524 | 10835.24100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥17.31957
-
数量:
- +
- 总计: ¥17.32
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规格参数
- IGBT类型 沟槽场截止
- 功率(Pd) 277W
- 集射极击穿电压(Vces) 650V
- 集电极电流(Ic) 85A
- 集电极脉冲电流(Icm) 150A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 10uA@650V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.65V@50A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 6V@34.7mA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 94nC@50A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 2.77nF@30V
- 开启延迟时间(Td(on)) 42ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 137ns
- 导通损耗(Eon) -
- 关断损耗(Eoff) -
- 正向压降(Vf@If) 1.45V@30A
- 反向恢复时间(Trr) 54ns
- 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
RGT00TS65DGC11所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT00TS65DGC11 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT00TS65DGC11价格参考¥17.319570,你可以下载 RGT00TS65DGC11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT00TS65DGC11规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...