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RGT00TS65DGC11
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RGT00TS65DGC11

  • 描述:IGBT类型:沟槽场截止 功率(Pd):277W 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):85A
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.31957 17.31957
10+ 15.07054 150.70548
30+ 13.65177 409.55319
100+ 12.21197 1221.19780
500+ 11.10848 5554.24300
1000+ 10.83524 10835.24100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.31957
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.32
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规格参数

  • IGBT类型 沟槽场截止
  • 功率(Pd) 277W
  • 集射极击穿电压(Vces) 650V
  • 集电极电流(Ic) 85A
  • 集电极脉冲电流(Icm) 150A
  • 集电极截止电流(Ices@Vce) 10uA@650V
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.65V@50A,15V
  • 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 6V@34.7mA
  • 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 94nC@50A,15V
  • 输入电容(Cies@Vce) 2.77nF@30V
  • 开启延迟时间(Td(on)) 42ns
  • 关断延迟时间(Td(off)) 137ns
  • 导通损耗(Eon) -
  • 关断损耗(Eoff) -
  • 正向压降(Vf@If) 1.45V@30A
  • 反向恢复时间(Trr) 54ns
  • 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
RGT00TS65DGC11所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT00TS65DGC11 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT00TS65DGC11价格参考¥17.319570,你可以下载 RGT00TS65DGC11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT00TS65DGC11规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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