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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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RGS50TSX2HRC11
RGS50TSX2HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥53.81475

0

5-7 工作日

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合计: ¥53.81475

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RGTVX6TS65DGC11
RGTVX6TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 144 A 最大功率: 404 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥56.71191

0

5-7 工作日

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合计: ¥56.71191

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RGS50TSX2DHRC11
RGS50TSX2DHRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥65.91039

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.91039

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RGT8BM65DTL
RGT8BM65DTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.05123

0

5-7 工作日

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合计: ¥14.05123

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RGT8NS65DGTL
RGT8NS65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.05363

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.05363

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RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 133 W 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.35661

0

2-3 工作日

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合计: ¥7.35661

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RGT20TM65DGC9
RGT20TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 25瓦 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.80353

0

5-7 工作日

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合计: ¥16.80353

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RGPR10BM40FHTL
RGPR10BM40FHTL
集电极击穿电压: 460伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 107瓦 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~75摄氏度(TJ)

¥11.73350

2388

5-7 工作日

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合计: ¥11.73350

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RGT60TS65DGC11
RGT60TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 55 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.88756

207

5-7 工作日

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合计: ¥22.88756

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RGT50TS65DGC11
RGT50TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.19129

434

5-7 工作日

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合计: ¥24.19129

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RGCL80TS60DGC11
RGCL80TS60DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 65 A 最大功率: 148瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥31.65147

0

5-7 工作日

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合计: ¥31.65147

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RGTH60TS65GC13
RGTH60TS65GC13
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.95520

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.95520

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RGTH00TS65DGC11
RGTH00TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.20049

9

5-7 工作日

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合计: ¥35.20049

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RGT16NL65DGTL
RGT16NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.36895

913

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.36895

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RGTH40TS65DGC11
RGTH40TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 144瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥56.16145

9000

5-7 工作日

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合计: ¥56.16145

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RGTH60TS65DGC11
RGTH60TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.30817

0

2-3 工作日

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合计: ¥11.30817

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RGT50NS65DGTL
RGT50NS65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.55603

20

2-3 工作日

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合计: ¥5.55603

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RGTH80TS65DGC11
RGTH80TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥66.68238

9000

5-7 工作日

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合计: ¥66.68238

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RGT40NL65DGTL
RGT40NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 161瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.63415

100

2-3 工作日

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RGC80TSX8RGC11
RGC80TSX8RGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1800伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 535 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥59.53664

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