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RGT50TS65DGC11

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 174 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 24.19128 24.19128
10+ 21.74318 217.43186
100+ 17.81536 1781.53610
  • 库存: 434
  • 单价: ¥24.19129
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥24.19
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 开关能量 -
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 供应商设备包装 TO-247N
  • 试验条件 400V, 25A, 10欧姆, 15V
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 最大整流电流 (Icm) 75 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 25A
  • 最大功率 174 W
  • 门电荷 49 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 48A
  • 反向恢复时长 (trr) 58 ns
  • 开通/关断延时 (25°C) 27ns/88ns

RGT50TS65DGC11 产品详情

RGT50TS65DGC11所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT50TS65DGC11 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT50TS65DGC11价格参考¥24.191286,你可以下载 RGT50TS65DGC11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT50TS65DGC11规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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