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RGT8BM65DTL

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 62 W 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.05122 14.05122
10+ 12.61713 126.17132
100+ 10.13861 1013.86110
500+ 8.33005 4165.02950
1000+ 6.90204 6902.04900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.05123
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.05
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 开关能量 -
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 安装类别 表面安装
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 最大集电极电流 (Ic) 8 A
  • 最大整流电流 (Icm) 12A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 4A
  • 门电荷 13.5 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 17ns/69ns
  • 试验条件 400V, 4A, 50欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 40纳秒
  • 供应商设备包装 TO-252
  • 最大功率 62 W

RGT8BM65DTL 产品详情

ROHM RGT系列场阻沟槽IGBT是一种节能高效的IGBT,用于广泛的高压和大电流应用。RGT系列具有低集电极和发射极饱和电压。它们是具有低开关损耗的高速开关和内置快速软恢复FRD(RFN系列)的软开关。

特色

1) 低集电极-发射极饱和电压2)低开关损耗3)短路耐受时间5us4)内置快速软恢复FRD(RFN-系列)5)无铅电镀;符合RoHS
RGT8BM65DTL所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT8BM65DTL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT8BM65DTL价格参考¥14.051226,你可以下载 RGT8BM65DTL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT8BM65DTL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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