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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
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操作
RGPR30BM40HRTL
RGPR30BM40HRTL
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.37785

0

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RGTH80TS65DGC13
RGTH80TS65DGC13
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.87356

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.87356

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RGT80TS65DGC13
RGT80TS65DGC13
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.46387

28

2-3 工作日

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合计: ¥45.46387

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RGT00TS65DGC11
RGT00TS65DGC11
IGBT类型:沟槽场截止 功率(Pd):277W 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):85A

¥17.31957

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2-3 工作日

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合计: ¥17.31957

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