ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.37785 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.37785 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.87356 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.87356 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 70 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥45.46387 | 28 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥45.46387 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT类型:沟槽场截止 功率(Pd):277W 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):85A | ¥17.31957 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17.31957 | 立即购买 加入购物车 |