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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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描述
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RGS80TS65HRC11
RGS80TS65HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 73 A 最大功率: 272 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.03683

277

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.03683

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RGPR20NS43HRTL
RGPR20NS43HRTL
集电极击穿电压: 460伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 107瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.99128

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥11.99128

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RGTH40TK65GC11
RGTH40TK65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.15848

330

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.15848

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RGW80TK65DGVC11
RGW80TK65DGVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 81 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.18169

440

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.18169

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RGT16BM65DTL
RGT16BM65DTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.32694

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.32694

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RGW80TS65GC11
RGW80TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 214 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.88277

190

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.88277

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RGTH50TK65GC11
RGTH50TK65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 26A 最大功率: 59 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥34.04163

446

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.04163

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RGT40NS65DGTL
RGT40NS65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 161瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.80353

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.80353

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RGTH60TK65GC11
RGTH60TK65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 28A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.41778

447

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.41778

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RGTH00TK65DGC11
RGTH00TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 72 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.65828

450

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.65828

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RGW60TK65GVC11
RGW60TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 33 A 最大功率: 72 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.63507

450

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.63507

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RGW00TK65DGVC11
RGW00TK65DGVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 89 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥48.81715

335

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.81715

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RGTV60TK65GVC11
RGTV60TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 33 A 最大功率: 76 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.63507

436

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.63507

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RGS00TS65HRC11
RGS00TS65HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 88 A 最大功率: 326 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥50.48301

296

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.48301

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RGT30NL65DGTL
RGT30NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 133 W 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.90397

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.90397

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RGCL80TK60DGC11
RGCL80TK60DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 57 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.28693

448

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.28693

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RGS80TSX2HRC11
RGS80TSX2HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 555 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.14251

425

2-3 工作日

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RGW00TS65GC11
RGW00TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 254 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.64907

445

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合计: ¥36.64907

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RGTH00TS65GC13
RGTH00TS65GC13
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 277 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.03923

0

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RGTV00TS65GC11
RGTV00TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 95 A 最大功率: 276 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.66308

446

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