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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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RGT50NL65DGTL
RGT50NL65DGTL
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.54010

5

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合计: ¥8.54010

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RGTH50TK65DGC11
RGTH50TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 26A 最大功率: 59 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.88037

450

5-7 工作日

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合计: ¥37.88037

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RGTH80TK65GC11
RGTH80TK65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 66 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.24251

450

5-7 工作日

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合计: ¥38.24251

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RGTV60TS65DGC11
RGTV60TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.45980

377

5-7 工作日

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合计: ¥38.45980

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RGW80TK65GVC11
RGW80TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 81 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.67709

450

5-7 工作日

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合计: ¥38.67709

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RGS60TS65HRC11
RGS60TS65HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 56 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.90838

445

5-7 工作日

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合计: ¥39.90838

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RGTH60TK65DGC11
RGTH60TK65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 28A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.98081

405

5-7 工作日

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合计: ¥39.98081

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RGT16TM65DGC9
RGT16TM65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 9 A 最大功率: 22 W 供应商设备包装: TO-220NFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.22410

0

5-7 工作日

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合计: ¥16.22410

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RGT30NS65DGC9
RGT30NS65DGC9
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 133 W 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.48340

0

5-7 工作日

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合计: ¥19.48340

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RGCL80TK60GC11
RGCL80TK60GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 57 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.44819

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.44819

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RGTV80TS65DGC11
RGTV80TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.09526

240

5-7 工作日

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合计: ¥43.09526

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RGS30TSX2HRC11
RGS30TSX2HRC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 267瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.57185

442

5-7 工作日

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合计: ¥46.57185

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RGS50TSX2GC11
RGS50TSX2GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥49.32415

370

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合计: ¥49.32415

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RGW40TS65GC11
RGW40TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.30573

0

5-7 工作日

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合计: ¥27.30573

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RGW80TS65DGC11
RGW80TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 214 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥39.47381

0

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合计: ¥39.47381

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RGW40TS65DGC11
RGW40TS65DGC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 136 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.88277

450

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合计: ¥32.88277

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RGW60TK65DGVC11
RGW60TK65DGVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 33 A 最大功率: 72 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥40.34295

0

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合计: ¥40.34295

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RGTV80TS65GC11
RGTV80TS65GC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 234 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.82434

450

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合计: ¥33.82434

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RGW00TK65GVC11
RGW00TK65GVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 89 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥41.50182

0

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合计: ¥41.50182

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RGTV60TK65DGVC11
RGTV60TK65DGVC11
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 33 A 最大功率: 76 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.09526

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