RGW80TK65GVC11
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 81 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 38.67708 | 38.67708 |
| 10+ | 34.71522 | 347.15220 |
| 100+ | 28.44504 | 2844.50410 |
| 500+ | 24.21475 | 12107.37650 |
| 1000+ | 20.64226 | 20642.26500 |
- 库存: 450
- 单价: ¥38.67709
-
数量:
- +
- 总计: ¥38.68
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 39 A
- 最大整流电流 (Icm) 160 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V，40A
- 试验条件 400V, 40A, 10欧姆, 15V
- 包装/外壳 至3PFM，SC-93-3
- 供应商设备包装 TO-3PFM
- 门电荷 110 nC
- 最大功率 81 W
- 开关能量 760J (on), 720J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 44ns/143ns
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | RGW50TK65DGVC11 | 罗姆 (Rohm) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 67 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.82194 |
 | RGW60TS65DGC11 | 罗姆 (Rohm) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 178 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.7075 |
 | RGW40TK65GVC11 | 罗姆 (Rohm) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 27 A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.18649 |
| RGW00TS65DHRC11 | 罗姆 (Rohm) | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 96A 最大功率: 254 W 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥49.83115 |
 | RGW-12-1Y | 泛达 (Panduit) | GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD | ¥1,134.31057 |
 | RGW-32-1Y | 泛达 (Panduit) | GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD | ¥331.88416 |
| RGW-25-CC-Z0-H | HIWIN CARRIER | ¥0.00 | |
| RGW-20-CC-ZA-H | HIWIN CARRIER | ¥0.00 | |
| RGW-35-CC-ZA-C | HIWIN CARRIER | ¥0.00 | |
| RGW-45-CC-ZA-H | HIWIN CARRIER | ¥0.00 |
RGW80TK65GVC11所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），RGW80TK65GVC11 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RGW80TK65GVC11价格参考￥38.677086，你可以下载 RGW80TK65GVC11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RGW80TK65GVC11规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
