RGT50NL65DGTL
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 8.54010 | 8.54010 |
- 库存: 5
- 单价: ¥8.54010
-
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- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 开关能量 -
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- IGBT型 场终止沟道
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
- 试验条件 400V, 25A, 10欧姆, 15V
- 最大整流电流 (Icm) 75 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 25A
- 门电荷 49 nC
- 最大集电极电流 (Ic) 48A
- 反向恢复时长 (trr) 58 ns
- 供应商设备包装 LPDS
- 开通/关断延时 (25°C) 27ns/88ns
- 最大功率 194瓦
RGT50NL65DGTL所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT50NL65DGTL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT50NL65DGTL价格参考¥8.540103,你可以下载 RGT50NL65DGTL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT50NL65DGTL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...