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RGTH60TS65DGC11

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 58 A 最大功率: 194瓦 供应商设备包装: TO-247N 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 开关能量 -
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 供应商设备包装 TO-247N
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 30A
  • 最大集电极电流 (Ic) 58 A
  • 门电荷 58 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 27ns/105ns
  • 试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 58 ns
  • 最大功率 194瓦

RGTH60TS65DGC11 产品详情

ROHM的IGBT产品将有助于节能、高效和广泛的高压和大电流应用。

特色

1) 低集电极-发射极饱和电压2)高速开关3)低开关损耗和软开关4)无铅电镀;符合RoHS

RGTH60TS65DGC11所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGTH60TS65DGC11 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGTH60TS65DGC11价格参考¥11.308166,你可以下载 RGTH60TS65DGC11中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGTH60TS65DGC11规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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