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RGT16NS65DGTL

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.31293 12.31293
10+ 11.03093 110.30937
100+ 8.59949 859.94950
500+ 7.10398 3551.99050
  • 库存: 878
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.31
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规格参数

  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 开关能量 -
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 24A
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 门电荷 21 nC
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 反向恢复时长 (trr) 42 ns
  • 最大集电极电流 (Ic) 16 A
  • 供应商设备包装 LPDS
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 8A
  • 最大功率 94瓦
  • 开通/关断延时 (25°C) 13ns/33ns
  • 试验条件 400V, 8A, 10欧姆, 15V
  • 样式 -

RGT16NS65DGTL 产品详情

RGT16NS65D是一种场阻沟槽IGBT,设计用于节能,并在大范围的高压和大电流环境下工作。该器件具有1.65V的低集电极-发射极饱和电压、94W的功耗、100�C为8 A,开关损耗低。
RGT16NS65DGTL所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT16NS65DGTL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT16NS65DGTL价格参考¥12.312930,你可以下载 RGT16NS65DGTL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT16NS65DGTL规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

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