RGT16NS65DGTL
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦 供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 12.31293 | 12.31293 |
10+ | 11.03093 | 110.30937 |
100+ | 8.59949 | 859.94950 |
500+ | 7.10398 | 3551.99050 |
- 库存: 878
- 单价: ¥12.31293
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数量:
- +
- 总计: ¥12.31
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规格参数
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 开关能量 -
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大整流电流 (Icm) 24A
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
- 门电荷 21 nC
- 部件状态 不适用于新设计
- 反向恢复时长 (trr) 42 ns
- 最大集电极电流 (Ic) 16 A
- 供应商设备包装 LPDS
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 8A
- 最大功率 94瓦
- 开通/关断延时 (25°C) 13ns/33ns
- 试验条件 400V, 8A, 10欧姆, 15V
- 样式 -
RGT16NS65DGTL 产品详情
RGT16NS65D是一种场阻沟槽IGBT,设计用于节能,并在大范围的高压和大电流环境下工作。该器件具有1.65V的低集电极-发射极饱和电压、94W的功耗、100�C为8 A,开关损耗低。
RGT16NS65DGTL所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT16NS65DGTL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT16NS65DGTL价格参考¥12.312930,你可以下载 RGT16NS65DGTL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT16NS65DGTL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...