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RGT40NS65DGC9

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 161瓦 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.23570 22.23570
10+ 19.96143 199.61432
100+ 16.04229 1604.22990
500+ 13.18034 6590.17000
1000+ 10.92084 10920.84500
2000+ 10.65792 21315.85400
  • 库存: 942
  • 单价: ¥22.23570
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.24
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 开关能量 -
  • 最大整流电流 (Icm) 60 A
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 门电荷 40 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 供应商设备包装 TO-262
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 20A
  • 试验条件 400V, 20A, 10欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 58 ns
  • 最大功率 161瓦
  • 开通/关断延时 (25°C) 22ns/75ns
RGT40NS65DGC9所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),RGT40NS65DGC9 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RGT40NS65DGC9价格参考¥22.235703,你可以下载 RGT40NS65DGC9中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RGT40NS65DGC9规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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