9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGFW30V60DF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGFW30V60DF参考价格2.92000美元。STMicroelectronics STGFW30V60DF封装/规格：IGBT 600V 60A 58W TO-3PF。您可以下载STGFW30V60DF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGFW30H65FB带引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-3PFM、SC-93-3以及标准输入类型，该设备也可作为通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-3PF-3，该设备为单配置，该设备的最大功率为58W，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，30A，开关能量为151μJ（on），293μJ（关），栅极电荷为149nC，25°C时的Td为37ns/146ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为58W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.55 V，并且25℃下的连续集电极电流为60A，并且栅极-发射极漏电流为250nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且持续集电极电流Ic-Max为30A。
STGFW20V60F是IGBT 600V 40A 52W TO3PF，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.2V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供400V、20A、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，130μJ（关断）开关能量，该器件也可用作TO-3PF供应商器件包。此外，该系列是600-650V IGBT，该设备提供52W功率最大，该设备具有52W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-3P-3全包装，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为116nC，集流器脉冲Icm为80A，集流电流Ic Max为40A，连续集流器电流Ic Max为20A，25℃时的连续集流电流为40A，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，并且集极-发射极饱和电压为2.3 V。
STGFW20V60DF带电路图，包括1.8 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在600 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C的连续集电极电流，如40 a，集电极Ic Max设计为在40 a下工作，以及80A集流器脉冲Icm，该器件也可以用作116nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为250 nA，该器件采用沟槽场阻IGBT型，该器件具有输入型标准，最大栅极-发射极电压为+/-20 V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装箱为TO-3P-3全包装，包装为管式，Pd功耗为52W，功率最大值为52W；反向恢复时间trr为40ns，系列为600-650V IGBT；供应商设备包装为TO-3PF，开关能量为200μJ（开）、130μJ（关），25°C时的Td为38ns/149ns，测试条件为400V、20A、15V，单位重量为0.245577盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.2V@15V，20A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
