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STGF30H60DF

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 37瓦 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 38.18082 38.18082
10+ 33.70379 337.03799
30+ 31.03440 931.03200
100+ 28.34398 2834.39810
500+ 27.10386 13551.93300
1000+ 26.53635 26536.35600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥38.18082
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥38.18
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 30A
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 110纳秒
  • 最大功率 37瓦
  • 门电荷 105 nC
  • 开关能量 350J (on), 400J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 50ns/160ns

STGF30H60DF 产品详情

STGF30H60DF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGF30H60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGF30H60DF价格参考¥38.180824,你可以下载 STGF30H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGF30H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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