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STGB18N40LZT4

  • 描述:集电极击穿电压: 420伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.19505 16.19505
10+ 14.14571 141.45717
30+ 12.86356 385.90692
100+ 11.56039 1156.03930
500+ 10.94033 5470.16750
  • 库存: 874
  • 单价: ¥16.19506
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.20
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 开关能量 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 输入类别 逻辑
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 30 A
  • 最大整流电流 (Icm) 40 A
  • 最大功率 150瓦
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 门电荷 29 nC
  • 集电极击穿电压 420伏
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.7伏@4.5伏,10A
  • 开通/关断延时 (25°C) 650ns/13.5s
  • 试验条件 300V, 10A, 5V

STGB18N40LZT4 产品详情

STGB18N40LZT4是一种内部箝位IGBT,采用最先进的PowerMESH™ 技术栅极集电极和栅极发射极之间的内置齐纳二极管提供过电压保护功能。该装置还具有用于汽车点火系统的低ON状态电压降和低阈值驱动。适用于笔形线圈电子点火驱动。

特色

  • ESD栅极发射极保护
  • 栅极集电极高压钳位
  • 逻辑电平门驱动
  • 低饱和电压
  • 高脉冲电流能力
  • 栅极和栅极发射极电阻器
  • 180mJ雪崩能量@TC=150°C,L=3mH
STGB18N40LZT4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB18N40LZT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB18N40LZT4价格参考¥16.195059,你可以下载 STGB18N40LZT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB18N40LZT4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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