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IGW30N60H3
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IGW30N60H3

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 187 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 20

  • 库存: 0
  • 单价: ¥29.16372
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥583.27
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 最大集电极电流 (Ic) 60 A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 30A
  • 门电荷 165 nC
  • 最大功率 187 W
  • 试验条件 400V, 30A, 10.5欧姆, 15V
  • 开关能量 940J（开），440J（关闭）
  • 开通/关断延时 (25°C) 21ns/207ns

IGW30N60H3 产品详情

高速600 V，30 A单TRENCHSTOP™ TO247封装中的IGBT3提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷。该系列的关键特征是类似MOSFET的关断开关行为，导致低关断损耗。

特色

  • 卓越的Vce（sat）性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管，意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻（低至5Ω），同时保持良好的开关性能
  • 短路能力5µs
  • 提供175°C的Tj（最大值）
  • 带和不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 可与小栅极电阻器一起使用，以减少延迟时间和电压过冲
  • 高电流密度
  • 一流的600 V IGBT效率和EMI性能

应用

潜在应用

         

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IGW30N60H3所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGW30N60H3 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGW30N60H3价格参考￥29.163718，你可以下载 IGW30N60H3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGW30N60H3规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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