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STGF14NC60KD

  • 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 28 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.30406 7.30406
10+ 6.27414 62.74140
30+ 5.70663 171.19890
100+ 5.07606 507.60630
500+ 4.79230 2396.15400
1000+ 4.66619 4666.19500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.30407
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.30
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 最大功率 28 W
  • 最大集电极电流 (Ic) 11 A
  • 反向恢复时长 (trr) 37 ns
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 最大整流电流 (Icm) 50 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 7A
  • 试验条件 390V, 7A, 10欧姆, 15V
  • 开关能量 82J (on), 155J (off)
  • 门电荷 34.4 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) 22.5ns/116ns

STGF14NC60KD 产品详情

STGF14NC60KD是一种短路坚固型IGBT,采用先进的PowerMESH™ 这在开关性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。它适用于硬开关和谐振拓扑中的SMPS和PFC。

特色

  • 低压降(VCE(sat))
  • 低CRES/CIES比率(无交叉传导敏感性)
  • 极软超快恢复反并联二极管
  • 开关损耗包括二极管恢复能量
  • 10µs短路耐受时间
STGF14NC60KD所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGF14NC60KD 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGF14NC60KD价格参考¥7.304066,你可以下载 STGF14NC60KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGF14NC60KD规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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