STGWA15M120DF3

Name: STGWA15M120DF3
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171456-STGWA15M120DF3
Price: 30.992362 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 259 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 600

数量	单价	合计
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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 1200伏
最大整流电流 (Icm) 60 A
IGBT型场终止沟道
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大集电极电流 (Ic) 30 A
供应商设备包装 TO-247 Long Leads
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 15A
试验条件 600V, 15A, 22欧姆, 15V
门电荷 53 nC
最大功率 259 W
开关能量 550J (on), 850J (off)
开通/关断延时 (25°C) 26ns/122ns
反向恢复时长 (trr) 270纳秒

STGWA15M120DF3 产品详情

STMicroelectronics S系列沟槽栅场截止IGBT采用先进的专有沟槽栅场停止结构开发。这些S系列1200V IGBT是为最大化低频工业系统效率而定制的。正的VCE（sat）温度系数和紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

10μs短路耐受时间
五、_{行政长官（sat）}=1.55 V（典型值）@I_C=15年
紧密的参数分布
更安全的并联
低热阻
软快速恢复反并联二极管

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STGWA15M120DF3所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWA15M120DF3 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWA15M120DF3价格参考￥30.992362，你可以下载 STGWA15M120DF3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWA15M120DF3规格参数、现货库存、封装信息等信息！