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STGB7H60DF

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 88 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
2000+ 5.67466 11349.33400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥5.15876
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11,349.33
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 14 A
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 开通/关断延时 (25°C) 30ns/160ns
  • 门电荷 46 nC
  • 最大整流电流 (Icm) 28A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95伏@15伏,7A
  • 开关能量 99J(开),100J(关闭)
  • 试验条件 400V, 7A, 47欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 136纳秒
  • 最大功率 88 W

STGB7H60DF 产品详情

STGB7H60DF所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGB7H60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGB7H60DF价格参考¥5.158756,你可以下载 STGB7H60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGB7H60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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