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IGW15N120H3FKSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 217 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.76900 17.76900
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  • 单价: ¥17.76901
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    - +
  • 总计: ¥17.77
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 最大整流电流 (Icm) 60 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.4V @ 15V, 15A
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大集电极电流 (Ic) 30 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-1
  • 门电荷 75 nC
  • 最大功率 217 W
  • 开关能量 1.55mJ
  • 开通/关断延时 (25°C) 21ns/260ns
  • 试验条件 600V, 15A, 35欧姆, 15V

IGW15N120H3FKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管,1100至1600V

英飞凌的一系列IGBT晶体管,集电极-发射极电压额定值为1100至1600V,采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围1100至1600V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 专门设计用于在低于70kHz的频率下切换的应用中取代平面MOSFET
  • 低开关损耗,实现高效率
  • 卓越的VCEsat性能得益于著名的Infineon TRENCHSTOP™ 技术
  • 具有低EMI发射的快速开关行为
  • 针对目标应用的优化二极管,意味着开关损耗的进一步改善
  • 可以选择低栅极电阻(低至5Ω),同时保持良好的开关性能
  • 短路能力
  • 提供175°C的Tj(最大值)
  • 带和不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
  • 低开关和传导损耗
  • EMI性能非常好
  • 可与小栅极电阻器一起使用,以减少延迟时间和电压过冲
  • 高电流密度
  • 一流的1200V IGBT效率和EMI性能

应用

潜在应用

         
IGW15N120H3FKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IGW15N120H3FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGW15N120H3FKSA1价格参考¥17.769007,你可以下载 IGW15N120H3FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGW15N120H3FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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