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IGW50N65F5FKSA1
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IGW50N65F5FKSA1

  • 描述:集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 305 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 38.82194 38.82194
10+ 34.86732 348.67321
100+ 28.56672 2856.67220
500+ 25.47762 12738.81250
  • 库存: 234
  • 单价: ¥33.96920
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥38.82
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3
  • 最大整流电流 (Icm) 150 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 50A
  • 试验条件 400V, 25A, 12欧姆, 15V
  • 门电荷 "120 NC"
  • 最大功率 305 W
  • 开关能量 490J (on), 160J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 21ns/175ns

IGW50N65F5FKSA1 产品详情

Infineon TrenchStop IGBT晶体管，600和650V

英飞凌的一系列IGBT晶体管，集电极-发射极电压额定值为600和650V，采用TrenchStop™ 技术该系列包括具有集成高速、快速恢复反并联二极管的器件。

•集电极-发射极电压范围600至650V
•非常低的VCEsat
•低关断损耗
•短尾电流
•低EMI
•最高结温175°C

特色

  • 650V击穿电压
  • 与Infineon一流的HighSpeed 3系列相比
  • 系数2.5降低Q g
  • 因素2开关损耗的减少
  • V CE降低200mV（sat）
  • 低C OES/E OSS
  • 温和正温度系数V CE（sat）
  • Vf的温度稳定性
  • 一流的效率，可降低结温和外壳温度，从而提高器件可靠性
  • 在不影响可靠性的情况下，母线电压可能增加50V
  • 更高的功率密度设计

应用

  • 不间断电源
  • 焊接

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IGW50N65F5FKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IGW50N65F5FKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGW50N65F5FKSA1价格参考￥33.969201，你可以下载 IGW50N65F5FKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGW50N65F5FKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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