STGB8NC60KDT4

Name: STGB8NC60KDT4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171705-STGB8NC60KDT4
Price: 6.423728 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 15A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
安装类别表面安装
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大整流电流 (Icm) 30 A
供应商设备包装 D2PAK
最大集电极电流 (Ic) 15A
门电荷 19 nC
最大功率 65 W
开关能量 55J (on), 85J (off)
开通/关断延时 (25°C) 17ns/72ns
试验条件 390V, 3A, 10欧姆, 15V
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.75V @ 15V, 3A
反向恢复时长 (trr) 23.5 ns

STGB8NC60KDT4 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH？这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。

特色

较低的电压降（V_{行政长官（sat）})
极软超快恢复反并联二极管
下部C_{皇家经济学会}/C类_信息系统比率（无交叉传导敏感性）
短路耐受时间10μs

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STGB8NC60KDT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGB8NC60KDT4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGB8NC60KDT4价格参考￥6.423728，你可以下载 STGB8NC60KDT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGB8NC60KDT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！