STGW20NC60VD

Name: STGW20NC60VD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171709-STGW20NC60VD
Price: 22.749949 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 200瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
最大集电极电流 (Ic) 60 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
反向恢复时长 (trr) 44 ns
最大整流电流 (Icm) 150 A
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 20A
最大功率 200瓦
门电荷 100 nC
供应商设备包装 TO-247-3
开关能量 220J (on), 330J (off)
开通/关断延时 (25°C) 31ns/100ns
试验条件 390V, 20A, 3.3欧姆, 15V

STGW20NC60VD 产品详情

STGW20NC60VD是一种600V超高速IGBT，采用先进的功率MESH™ 这在切换性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。它适用于硬开关和谐振拓扑中的高频逆变器、UPS、电机驱动、SMPS和PFC。

特色

高电流能力
高达50KHz的高频操作
极软超快恢复反并联二极管
±20V栅极到发射极电压
0.63°C/W IGBT热阻，结到外壳
1.5°C/W IGBT热阻，连接至外壳
50°C/W热阻，连接至环境

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STGW20NC60VD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW20NC60VD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW20NC60VD价格参考￥22.749949，你可以下载 STGW20NC60VD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW20NC60VD规格参数、现货库存、封装信息等信息！