STGW60H60DLFB

Name: STGW60H60DLFB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171711-STGW60H60DLFB
Price: 39.851826 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	39.85182	39.85182
200+	15.42787	3085.57400
600+	14.88137	8928.82680
1200+	14.61864	17542.37040

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-247
最大整流电流 (Icm) 240 A
门电荷 306 nC
开通/关断延时 (25°C) -/160纳秒
最大功率 375瓦
试验条件 400V, 60A, 5欧姆, 15V
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 60A
开关能量 626J (off)

STGW60H60DLFB 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

最高结温：T_J=175°C
高速开关系列
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=1.6 V（典型值）@I_C=60年
紧密参数分布
安全并联
低热阻
低电压_F软恢复共封装二极管
无铅包装

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STGW60H60DLFB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW60H60DLFB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW60H60DLFB价格参考￥39.851826，你可以下载 STGW60H60DLFB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW60H60DLFB规格参数、现货库存、封装信息等信息！